2025年6月22日,东吴证券发布了一篇电子行业的研究报告,报告指出,为什么我们认为下半年要重视HBM产业链?。
报告具体内容如下:
投资要点 算力需求爆发股指外汇股票配资门户,叠加外部对HBM在带宽等环节的管制,将刺激国产HBM的突破和供应。周五受国产存储大客户的HBM3通过验证的消息刺激,精智达、芯源微等核心标的涨幅明显。国产存储大客户已经具备DDR5颗粒的制造能力,传输速率等核心指标已经达成,只是目前在散热和能耗等方面还有提升空间。HBM3的底层存储颗粒具备量产条件。且已经有部分设备公司拿到了HBM相关的TCB和CMP等订单,国产HBM扩产的确定性在快速加强。 测试机、键合解键合、CMP环节弹性最大。目前各个关键工序如TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机均实现国产或较容易买到,颗粒具备量产条件+各关键工序的设备处于ready状态,我们认为国产HBM的突破将落在今年下半年!预期今年HBM的扩产量级有望实现5000片的8层晶圆。扩产将为TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机(专指HBM专用CP测试机—KGSD)环节分别带来1.6亿、10亿、6亿、4亿、7亿的订单增量。
国产HBM扩产同样利好前道设备,对应DRAM扩产产生新增量。HBM扩产需要底层的DRAM颗粒,目前市场预期此次HBM扩产量级为5000片的8层晶圆,则对应4万片的底层DDR5扩产,对应约350亿的设备资本开支增量。对刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP等环节分别带来85亿、70亿、16亿、11亿的市场增量。其余前道设备也将受益
投资建议。设备环节,我们推荐受益较多的精智达,其订单弹性最大。
风险提示:产业进展不及预期/需求不及预期
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